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2dsemiconductors MBE-MoS2說(shuō)明書(shū)
2dsemiconductors代理——上海起發(fā)
分子束外延 (MBE) 生長(zhǎng)被認(rèn)為是用于外延合成高質(zhì)量光學(xué)、電子、量子和熱級(jí)材料的最復(fù)雜的技術(shù)之一。這項(xiàng)技術(shù)的真正威力來(lái)自于我們能夠?qū)⒎浅Ｉ倭康脑樱ǖ椭撩棵?5 個(gè)原子）發(fā)送到原子級(jí)平面基板上以達(dá)到高結(jié)晶度。整個(gè)生長(zhǎng)過(guò)程在低至 1E-9 Torr 的壓力下進(jìn)行，以創(chuàng)造出高質(zhì)量和純凈的材料。
目前，我們的團(tuán)隊(duì)在我們的兩個(gè) MBE 沉積室中將 MoS2、MoSe2、WS2 和 WSe2 單層膜提供到藍(lán)寶石上。在不久的將來(lái)，我們的沉積團(tuán)隊(duì)將在石墨和金等導(dǎo)電基材上提供這些材料，用于掃描隧道顯微鏡 (STM) 研究。我們?cè)O(shè)想在 2019 年發(fā)布新的 MBE 生長(zhǎng)材料，包括 SnS2、SnSe2、PtS2、PtSe2、PdS2、PdSe2、ZrS2 和 ZrSe2。在 2020 年初，我們公司打算發(fā)布 MBE 生長(zhǎng)的量子材料，用于更先進(jìn)的測(cè)量和測(cè)試。
MBE、CVD 和 MOCVD 生長(zhǎng)樣品之間的平均結(jié)構(gòu)比較
一個(gè)分子束外延 (MBE) 生長(zhǎng)的 MoS2 單分子層。MBE 是一種用于單晶質(zhì)量薄膜沉積的外延方法，與化學(xué)氣相沉積 (CVD) 或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積 (MOCVD) 技術(shù)相比，它提供了高結(jié)晶度和降低的缺陷密度（參見(jiàn)下面的 HRTEM 圖像）。MoS2 單層的 MBE 生長(zhǎng)發(fā)生在 MBE 室中，基礎(chǔ)壓力為 8E-9 Torr，沉積速率極慢（每秒 5-100 個(gè)原子）以達(dá)到結(jié)構(gòu)。典型的 MBE 生長(zhǎng)在雙面拋光 c 切割藍(lán)寶石上產(chǎn)生單層厚的 MoS2 隔離三角形。目前，MBE MoS2 僅在藍(lán)寶石基板上提供，但在不久的將來(lái)，我們的 MBE 基板還將包括云母、石墨和金。
MBE、CVD、MOCVD的比較
MBE、CVD和MOCVD之間的TEM比較
從 MBE MoS2 收集的光學(xué)圖像
MBE MoS2 懸浮在 TEM 網(wǎng)格上
從 MBE MoS2 收集的 PL 光譜
從 MBE MoS2 收集的拉曼光譜
樣本屬性
| 樣本量 | 1cm x 1cm 方形 |
| 基板類(lèi)型 | 雙面拋光 C 形切割藍(lán)寶石 |
| 覆蓋范圍 | 孤立的三角形，但可能達(dá)到一定的連續(xù)性 |
| 電氣特性 | 直接間隙激子半導(dǎo)體 |
| 晶體結(jié)構(gòu) | 六角相 |
| 晶胞參數(shù) | a = b = 0.33 nm，c = 1.292 nm，α = β = 90°，γ = 120° |
| 生產(chǎn)方法 | 分子束外延 (MBE) |
| 表征方法 | 拉曼、光致發(fā)光、TEM、XRD 等 |
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